碳化硅厂设备
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做
2020年10月21日 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空
进一步探索三安光电（1）：SiC碳化硅产业链 根据公开信息， 三碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志国产十大硅晶圆厂商 知乎住友SiC技术揭秘：6英寸、“无缺陷”、速度提升5倍全球12寸、8寸、6寸硅晶圆排行：中国芯在6寸上有优势根据热度为您推荐•反馈
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
不过，为抢抓入场时机，并不是所有碳化硅衬底厂商都采用自研设备。 随着越来越多碳化硅衬底项目开出，包括北方华创、晶升装备、连城数控、恒普科技等设备厂商都从中看到
进一步探索碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起碳化硅产业链深度解析（全网最全独家） 碳化硅产业根据热度为您推荐•反馈
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/
进一步探索【行业报告】2021年碳化硅行业研究报告 雪球导电型碳化硅衬底市场现状分析- 知乎根据热度为您推荐•反馈
碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
碳化硅3个常识点核心点内容切磨抛工序尾声1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！ 2、碳化硅目供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！ 3、衬底在碳化硅价值占比是50%左右量，所以岳、露笑等标的市场关注火爆！ 接下来，继续跟踪分享碳化硅各个环节的内容 ！
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高
又解锁关键一环，国产SiC设备加速崛起！|晶片|晶锭|碳化硅
2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
1 这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。 同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高_半导体_咨询
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低
国产SiCMOS、外延炉量产！55所、13所等有新动作 电子
2022年3月4日 纳设智能新厂成功量产碳化硅外延设备 2月27 日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，纳设智能碳化硅外延设备的量产将大大提高我国先进
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
1 这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。 同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端
又解锁关键一环，国产SiC设备加速崛起！|晶片|晶锭|碳化硅
2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。此外，苏州宝士曼在今年年初
提锁定产能！碳化硅龙头签下超百亿供应协议-电子工程专辑
18 小时之 提锁定产能！. 碳化硅龙头签下超百亿供应协议. 5月31日，纬湃科技与安森美宣布一项价值19亿美元（约17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以满足纬湃科技增长的业务需求。. 据悉，纬湃科技将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采购
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高_半导体_咨询
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长300%。. 一季度新
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 1.2. 发展趋势：受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临 市场空间：据 Yole 统计，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 在军用方面，SiC主要用于大功率高频功率器件。 碳化硅半导体的生产步骤包括单晶生长、外延层生长以及器件/芯片制造，分别对应衬底、外延和器件/芯片。 后文会围绕这三个方面，对碳化硅产业的国产
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。
技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备
国产SiCMOS、外延炉量产！55所、13所等有新动作 电子
2022年3月4日 2月27日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，纳设智能碳化硅外延设备的量产将大大提高我国先进半导体设备的进口替代、自主创新能力。 据悉，纳设智能以成为全球先进材料制造设备引领者为愿景，以提升中国先进材料制造能力为使命，致
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做
2020年10月21日 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉料合成坩埚加热与耦合技术。 国内外主要厂商：Cree,Aymont,中国电科二所，山东岳，科合达，中科院硅酸盐所，
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 从事碳化硅器件设计制造的企业包括 泰科润、华润微电子、绿能芯创、上海詹芯、基本半导体、中国中车 等。 同时从事外延生长和器件制作的企业包括 中电科五十五所、中电科十三所和三安集成 等。 碳化硅器件领域代表性的企业中，目来看在国际上技术比较领先的是美国的Cree，其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游（衬底-外延-器件），具
技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 1.2. 发展趋势：受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临 市场空间：据 Yole 统计，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿
泛半导体长晶设备龙头晶盛机电专题报告：碳化硅打开成长新
2021年11月1日 公司围绕硅、 碳化硅、 蓝宝石三大半导体材料开发出一系列关键设备，并适度延伸到材料领域，不断完 善以单晶硅生长、切片、抛光、外延四大环节的设备体系，实现了光伏、半导体、 LED 照明、工业 4.0 等多领域覆盖。 公司自 2007 年成功研制出国内首台全自动直拉式单晶硅生长炉后，始终专 研单晶硅生长设备，技术水平处于行业领先地
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分
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2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。此外，苏州宝士曼在今年年初
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
1 这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。 同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端
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2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长300%。. 一季度新
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2022年3月22日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/
进一步探索【行业报告】2021年碳化硅行业研究报告 雪球导电型碳化硅衬底市场现状分析- 知乎根据热度为您推荐•反馈碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
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2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高
又解锁关键一环，国产SiC设备加速崛起！|晶片|晶锭|碳化硅
2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
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2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低
国产SiCMOS、外延炉量产！55所、13所等有新动作 电子
2022年3月4日 纳设智能新厂成功量产碳化硅外延设备 2月27 日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，纳设智能碳化硅外延设备的量产将大大提高我国先进
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
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又解锁关键一环，国产SiC设备加速崛起！|晶片|晶锭|碳化硅
2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。此外，苏州宝士曼在今年年初
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18 小时之 提锁定产能！. 碳化硅龙头签下超百亿供应协议. 5月31日，纬湃科技与安森美宣布一项价值19亿美元（约17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以满足纬湃科技增长的业务需求。. 据悉，纬湃科技将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采购
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高_半导体_咨询
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长300%。. 一季度新
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2022年3月22日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 1.2. 发展趋势：受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临 市场空间：据 Yole 统计，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分
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2020年10月19日 在军用方面，SiC主要用于大功率高频功率器件。 碳化硅半导体的生产步骤包括单晶生长、外延层生长以及器件/芯片制造，分别对应衬底、外延和器件/芯片。 后文会围绕这三个方面，对碳化硅产业的国产
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。
技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备
国产SiCMOS、外延炉量产！55所、13所等有新动作 电子
2022年3月4日 2月27日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，纳设智能碳化硅外延设备的量产将大大提高我国先进半导体设备的进口替代、自主创新能力。 据悉，纳设智能以成为全球先进材料制造设备引领者为愿景，以提升中国先进材料制造能力为使命，致
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做
2020年10月21日 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉料合成坩埚加热与耦合技术。 国内外主要厂商：Cree,Aymont,中国电科二所，山东岳，科合达，中科院硅酸盐所，
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 从事碳化硅器件设计制造的企业包括 泰科润、华润微电子、绿能芯创、上海詹芯、基本半导体、中国中车 等。 同时从事外延生长和器件制作的企业包括 中电科五十五所、中电科十三所和三安集成 等。 碳化硅器件领域代表性的企业中，目来看在国际上技术比较领先的是美国的Cree，其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游（衬底-外延-器件），具
技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 1.2. 发展趋势：受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临 市场空间：据 Yole 统计，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿
泛半导体长晶设备龙头晶盛机电专题报告：碳化硅打开成长新
2021年11月1日 公司围绕硅、 碳化硅、 蓝宝石三大半导体材料开发出一系列关键设备，并适度延伸到材料领域，不断完 善以单晶硅生长、切片、抛光、外延四大环节的设备体系，实现了光伏、半导体、 LED 照明、工业 4.0 等多领域覆盖。 公司自 2007 年成功研制出国内首台全自动直拉式单晶硅生长炉后，始终专 研单晶硅生长设备，技术水平处于行业领先地
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分
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2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。此外，苏州宝士曼在今年年初
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2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁
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2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低
国产SiCMOS、外延炉量产！55所、13所等有新动作 电子
2022年3月4日 纳设智能新厂成功量产碳化硅外延设备 2月27 日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，纳设智能碳化硅外延设备的量产将大大提高我国先进
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
1 这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。 同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端
又解锁关键一环，国产SiC设备加速崛起！|晶片|晶锭|碳化硅
2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。此外，苏州宝士曼在今年年初
提锁定产能！碳化硅龙头签下超百亿供应协议-电子工程专辑
18 小时之 提锁定产能！. 碳化硅龙头签下超百亿供应协议. 5月31日，纬湃科技与安森美宣布一项价值19亿美元（约17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以满足纬湃科技增长的业务需求。. 据悉，纬湃科技将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采购
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高_半导体_咨询
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长300%。. 一季度新
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 1.2. 发展趋势：受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临 市场空间：据 Yole 统计，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 在军用方面，SiC主要用于大功率高频功率器件。 碳化硅半导体的生产步骤包括单晶生长、外延层生长以及器件/芯片制造，分别对应衬底、外延和器件/芯片。 后文会围绕这三个方面，对碳化硅产业的国产
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。
技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备
国产SiCMOS、外延炉量产！55所、13所等有新动作 电子
2022年3月4日 2月27日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，纳设智能碳化硅外延设备的量产将大大提高我国先进半导体设备的进口替代、自主创新能力。 据悉，纳设智能以成为全球先进材料制造设备引领者为愿景，以提升中国先进材料制造能力为使命，致
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做
2020年10月21日 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉料合成坩埚加热与耦合技术。 国内外主要厂商：Cree,Aymont,中国电科二所，山东岳，科合达，中科院硅酸盐所，
碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎
2021年1月28日 从事碳化硅器件设计制造的企业包括 泰科润、华润微电子、绿能芯创、上海詹芯、基本半导体、中国中车 等。 同时从事外延生长和器件制作的企业包括 中电科五十五所、中电科十三所和三安集成 等。 碳化硅器件领域代表性的企业中，目来看在国际上技术比较领先的是美国的Cree，其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游（衬底-外延-器件），具
技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。 1.2. 发展趋势：受益新能源车爆发，SiC 产业化黄金时代将来临 市场空间：据 Yole 统计，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿
泛半导体长晶设备龙头晶盛机电专题报告：碳化硅打开成长新
2021年11月1日 公司围绕硅、 碳化硅、 蓝宝石三大半导体材料开发出一系列关键设备，并适度延伸到材料领域，不断完 善以单晶硅生长、切片、抛光、外延四大环节的设备体系，实现了光伏、半导体、 LED 照明、工业 4.0 等多领域覆盖。 公司自 2007 年成功研制出国内首台全自动直拉式单晶硅生长炉后，始终专 研单晶硅生长设备，技术水平处于行业领先地
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高 知乎. 订单激增！. 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分
又解锁关键一环，国产SiC设备加速崛起！|晶片|晶锭|碳化硅
2023年5月26日 盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅 外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。此外，苏州宝士曼在今年年初
纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同
1 这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。 同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端
订单激增！这个SiC设备厂产品交付量再创新高_半导体_咨询
2023年6月2日 这个SiC设备厂产品交付量再创新高. 近日，北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备，再创新高。. 截至今年5月底，离子注入机交付总台数同比增长175%。. 4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长300%。. 一季度新